PCI-E 4.0 主控芯片
为PCI-E 4.0设计的Phison PS5016-E16主控芯片。强劲的运算能力确保PS5016-E16确保3D TLC存储颗粒可以具备ECC纠错功能。PS5016-E16具备8个NAND通道及23个CE targets，支持DDR4 DRAM缓存和PCI-E 4.0通道。强大的规格搭配NVMe 1.3协议、LDPC纠错、损耗平均技术和超额预留空间技术。不仅使技嘉的SSD性能强劲，也大幅提升了SSD的寿命。
  • PCI-E 4.0 x4, NVMe 1.3
  • DDR4 DRAM 缓存
  • 8通道,32组CE
  • Phison 第四代 LDPC 和 RAID ECC 技术
  • 支持 Pyrite
  • 控制芯片配置散热片
高品质和高性能 NAND 高速缓存
TOSHIBA BiCS4 96层3D TLC(800MT/s)
TOSHIBA BiCS4 NAND将堆叠数量增加到96层，使单位面积达成更高的存储空间。AORUS NVMe Gen4 SSD具备800MT / s的吞吐量，远远超过PCI-E 3.0 X4设备的带宽速度，具有更强劲的存储性能。
AORUS NVMe Gen4 SSD
传统SSD
传输速度
800 MT/s
400~533 MT/s
旗舰级的存储性能
通过新一代PCI-E 4.0主控芯片，AORUS NVMe Gen4 SSD可提供高达5000 MB/s的持续读取速度和高达4400 MB/s的持续写入速度。通过提供更强劲的性能，为用户打造更快更顺畅的电脑游戏体验。
持续读取速度
AORUS NVMe Gen4 SSD
一般PCI-E 3.0 SSD
性能(MB/s)
持续写入速度
AORUS NVMe Gen4 SSD
一般PCI-E 3.0 SSD
持续写入速度
专为PCI-E 4.0 SSD设计的全包覆式纯铜散热解决方案
全包覆式纯铜散热片同时为SSD正反面的主控芯片和存储颗粒进行散热。与铝制散热片相比，纯铜散热片具有更好的导热效果，让AORUS NVMe Gen4 SSD获得更好的性能表现。
导热系数
纯铜（CU）
纯铝（AL）
高效散热片设计
相较于一般的M.2 SSD散热片，AORUS NVMe Gen4 SSD采用的包覆式纯铜散热片，正面采用27条剖沟，大幅增加散热面积。使散热片可以快速交换热量，AORUS NVMe Gen4 SSD可以更好的保持工作温度和存储性能的平衡。
为什么SSD保持在较低工作温度如此重要?
  • 过高的工作温度会大幅降低SSD的工作性能，当温度达到一定阈值之后，还可能导致写入错误或数据丢失。
  • 通过包覆式纯铜散热片，AORUS NVMe Gen4 SSD可以运行在较低的工作温度，以提高SSD在长时间运行中的工作性能，也可以避免因为过热导致的SSD丢失数据。
包覆式纯铜散热片
传统散热片
△T ℃ (越低越好)
*检测结果为实验室测试数据，与实际效果可能有所差异。
降低工作温度
SSD Tool Box
新一代的SSD工具箱是帮助用户监控SSD状态的应用程序，提供诸如型号名称、固件版本、运行状况、驱动器优化等一般信息，还可以检测传感器温度。此外，用户可以使用安全擦除功能清除所有数据。您可以从支持下载SSD工具箱。
SSD tool box功能可能依据不同型号而有所不同。
品质保证
旗舰级的性能
来自高标准测试
结构
外型尺寸
容量* 产品名称 持续读取 MB/s**(理论上可达到的值) 持续写入 MB/s**(理论上可达到的值) 随机读取 IOPS**(理论上可达到的值) 随机写入 IOPS**(理论上可达到的值)
1000GB AORUS NVMe Gen4 SSD 1TB
( GP-ASM2NE6100TTTD )
 5000 MB/s 4400 MB/s 750k 700k
2000GB AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB
( GP-ASM2NE6200TTTD )
 5000 MB/s 4400 MB/s 750k 700k
* 1GB=10亿字节，实际容量会依规格及使用状况而有所差异。
** 速度基于内部测试的理论性能。实际性能可能有所不同。